
C. Scott Brown / Autoridade Android
DR
- O processador Samsung Exynos 2700 apresentará o processador lado a lado com a DRAM.
- Isto deve permitir um melhor desempenho térmico, o que deve levar a um melhor desempenho sustentado e temperaturas mais frias.
- Isso segue o uso de um bloco de caminho de calor pelo Exynos 2600 para reduzir o aquecimento.
O processador Samsung Exynos 2600 alimenta o Galaxy S26 e S26 Plus em alguns mercados. No entanto, a empresa está sem dúvida trabalhando no Exynos 2700 com o objetivo de utilizá-lo na série Galaxy S27. Agora parece que temos os primeiros detalhes sobre o novo chipset.
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Podemos confirmar que o Samsung Exynos 2700 terá o processador e a DRAM lado a lado no mesmo substrato. Esta seria uma mudança significativa em relação aos chips Exynos anteriores, que têm a DRAM colocada em cima do substrato do processador.
Então, qual é o motivo dessa mudança? Entendemos que esta abordagem deve proporcionar melhor desempenho térmico. Isso é uma boa notícia, especialmente à luz dos vazamentos de que o próximo núcleo Ultra CPU da Arm poderia oferecer uma velocidade de clock máxima de quase 5 GHz. Espera-se que este núcleo de CPU de próxima geração também seja usado no Exynos 2700.

Esta notícia surge depois que a Samsung adicionou o chamado Heat Path Block (HPB) ao Exynos 2600. O HPB é efetivamente um dissipador de calor e anteriormente ficava próximo à DRAM, mas acima do chipset (veja a imagem acima). Portanto, estamos supondo que o HPB possa agora cobrir tanto a DRAM quanto o próprio processador devido à nova abordagem lado a lado do Exynos 2700.
De qualquer forma, estamos felizes em ver a Samsung tomando estas medidas para melhorar o desempenho térmico. Se a combinação de HPB e uma abordagem lado a lado der frutos, poderemos ver um excelente desempenho sustentado e temperaturas reduzidas do dispositivo. Esta seria uma boa notícia para cargas de trabalho exigentes, como jogos pesados ou captura de vídeo APV.
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